Модуль памяти SO-DIMM DDR-4 4GB QUMO 2666MHz 512Mx16 CL19 (QUM4S-4G2666C19)
CAS Latency (CL):
19
Количество модулей в комплекте:
1
Напряжение питания:
1.2 В
Низкопрофильная (Low Profile):
нет
Объем одного модуля:
4 ГБ
Поддержка ECC:
нет
Пропускная способность:
21300 МБ/с
Радиатор:
нет
Тактовая частота:
2666 МГц
Тип памяти:
DDR4
Форм-фактор модуля памяти:
SODIMM
Part:
QUM4S-4G2666C19
Вес (кг):
0.03
Объем (м3):
0.0001